芯片生產(chǎn)工藝流程12個(gè)步驟

芯片生產(chǎn)工藝流程12個(gè)步驟，芯片，英文為Chip；芯片組為Chipset。芯片一般是指集成電路的載體，也是集成電路經(jīng)過(guò)設計、制造、封裝、測試后的結果，通常是一個(gè)可以立即使用的獨立的整體。

芯片生產(chǎn)工藝流程12個(gè)步驟:

1、硅片的來(lái)源：硅片一般是由晶棒進(jìn)行切割而來(lái)，根據要求切割成硅片薄片。  
2、清洗：芯片在加工前需進(jìn)行清洗，清洗設備通常為柵氧化清洗機 和氧化擴散清洗機。 
3、氧化：氧化過(guò)程就是把清洗干凈并通過(guò)離心甩干的硅片板送入高溫爐管內進(jìn)行退火處理，爐管內溫度800-1500 ℃。  
4、淀積：淀積系統就是在硅片表面形成具有良好的臺階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設備系統。 
5、光刻：光刻就是在硅片上涂上對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，當遇紫外光時(shí)則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置得到芯片的外形。即在硅晶片涂上光致蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì )溶解，在光刻機的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著(zhù)可用溶劑將其沖走。  
6、刻蝕：刻蝕就是以化學(xué)蝕刻的方法或用干法氧化法，去除氮化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后在硅片表面因加工應力而產(chǎn)生的一層損傷層的過(guò)程。
7、二次清洗：二次清洗就是將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過(guò)強酸堿清洗、甩干，去除硅片板上的光刻膠。 
8、離子注入：離子注入就是將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機將硼離子 （B+3） 透過(guò) SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱；去除氮化硅層，摻雜磷 （P+5） 離子，形成 N 型阱。  

9、快速退火：快速退火就是從離子注入機中取出硅片放入快速退火爐中進(jìn)行退火處理，去除 SiO2 層。與離子注入工藝根據需要反復循環(huán)進(jìn)行。 
10、蒸鍍：薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。
11、檢測：檢測就是進(jìn)行最終全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達到規定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標。最后將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線(xiàn)端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。 
12、包裝：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，準備發(fā)往訂貨客戶(hù)。

通過(guò)對芯片生產(chǎn)工藝的熟悉和掌握，使我們對工藝的理解更加深刻，從而使我們對工藝設備的特殊要求也有了深入的理解。但是，對于有效實(shí)施二次配工程尚需對工藝設備的需求條件清楚且深刻理解和掌握，對于工藝設備的接入條件以及界面接口形式熟悉和掌握，這樣，才能在保證工程質(zhì)量和安全的條件下，高效、快速的完成二次配工程。

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